Nazwa produktu: | 445nm-50W | Moc wyjściowa: | 50W |
---|---|---|---|
Długość fali: | 445 nm | Średnica wiązki włókien: | 113µm |
Apertura numeryczna: | 0,15 NA | Aplikacja: | Badania naukowe, laserowa reprodukcja addytywna |
High Light: | Laser diodowy 445 nm 50 W,laser diodowy do badań naukowych,laser diodowy 50 W 445 nm |
445nm-50W
Specyfikacje (25 ℃) | Symbol | Jednostka | K445HR7FN-50.00WN1N-11315 | |||
Minimum | Typowy | Maksymalny | ||||
Dane optyczne
(1)
|
Moc wyjściowa CW | Po | W | 50 | - | - |
Liczba podmodułów |
szt. |
- | - | 2 | - | |
Moduł podrzędny CW Moc wyjściowa | Po | W | - | 25 | - | |
Środkowa długość fali | λc | Nm | 445±20 | |||
Szerokość widmowa (FWHM) | λ | Nm | - | 6 | - | |
Przesunięcie długości fali z temperaturą | △λ/△T | nm/℃ | - | 0,1 | - | |
Przesunięcie długości fali z prądem | λ/A | nm/A | - | 1 | - | |
Elektryczny
Dane
|
Sprawność elektryczna-optyczna | PE | % | - | 30 | - |
Prąd progowy | Iten | A | - | 0,35 | - | |
Prąd roboczy |
Ibol | A | - | 2,5 | 3,5 | |
Napięcie robocze (pojedynczy moduł) | Vop | V | - | 35 | 40 | |
Wydajność na zboczu (pojedynczy moduł) | WA | - | 11,5 | - | ||
Tryb zasilania | - | - | - | 2 moduły | - | |
Dane światłowodowe | Średnica rdzenia | Drdzeń | µm | - | 113 | - |
Przysłona numeryczna | Nie dotyczy | - | - | 0,15 | - | |
Zakończenie światłowodu | - | - | - | SMA905 | - | |
Minimalny promień gięcia | - | mm | 50 | - | - | |
Termistor | - | Rt | (KΩ)/β(25℃) | - | 10±3%/3450 |
- |
Inni | ESD | Vesd | V | - | - | 500 |
Temperatura przechowywania | Tst | ℃ | -20 | - | 70 | |
Temperatura lutowania ołowiowego | Tls | ℃ | - | - | 260 | |
Czas lutowania ołowiu | t | sek | - | - | 10 | |
Temperatura obudowy operacyjnej | Top | ℃ | 15 | - | 30 | |
Wilgotność względna | RH | % | 15 | - | 75 |